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行业文献

Angew. Chem. Int. Ed: 硼-偶氮苯配合物强电子受体组成的D-π-A结构的NIR-II共轭聚合物研究

内容提要

第二近红外(NIR-II, 1,000-1,700 nm)窗口的发光特别有利于深层组织成像和光学传感器,因为它具有通过各种介质的固有高通透性。具有最低未占据分子轨道(LUMO)能级的强电子受体是具有NIR-II发射特性的给体-受体(D-A) π共轭聚合物(CPs)的关键单元,但目前可用的分子骨架种类有限。本文报道了含有氟化硼融合偶氮苯配合物(BAz)的D-A CPs具有增强的电子接受特性。偶氮苯配体的氟化和硼的三氟甲基化结合可以有效地将LUMO的能级降低到-4.42 eV,远低于传统的强电子受体。合成的系列CPs在包括NIR- ii在内的较宽近红外范围内具有优异的吸收/荧光性能。此外,由于BAz骨架固有的固态发射特性,从薄膜(λFL= 1213 nm)和水中纳米颗粒(λFL= 1036 nm,亮度高达29 cm -1-1)中观察到明显的NIR-II荧光,表明我们的材料适用于开发下一代NIR-II发光材料。    


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